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Omnipolar霍尔集成电路
Omnipolar霍尔集成电路

注:数据为典型值,电源电流测试电压为3.3V,环境温度为25℃。

类型 制造技术 输出状态 供应颇
(μ)
负载
(马)
工作电压
(V)
B人事处
(太)
BRP
(太)
BH
(太)
工作温度
(℃)
AH3661 互补金属氧化物半导体 排水明沟 SOT23 / TO92 2.8 1 2.5 ~ 5.5 ±4 ±2.7 1.3 -40 ~ 85
AH3662 互补金属氧化物半导体 100 k引体向上 SOT23 / TO92 6.0 1 2.5 ~ 5.5 ±2 ±1 1.0 -40 ~ 85
AH3663 互补金属氧化物半导体 排水明沟 SOT23 / TO92 6.0 1 2.5 ~ 5.5 ±2 ±1 1.0 -40 ~ 85
AH3664 互补金属氧化物半导体 排水明沟 SOT23 / TO92 1.0 1 1.65 ~ 5.5 ±3 ±2 1.0 -40 ~ 85
类型 制造技术 输出状态 供应颇
(马)
负载
(马)
工作电压
(V)
B人事处
(太)
BRP
(太)
BH
(太)
工作温度
(℃)
AH3931 互补金属氧化物半导体 排水明沟 SOT23 / TO92 1.5 5 2.5 ~ 22 ±3 ±1.5 ±1.5 -40 ~ 85


全极性霍尔效应传感器在单片硅片上包括:反向电压保护器、稳压器、温度补偿电路、霍尔电压产生器、信号放大器、施密特触发器和漏极输出驱动器等。

采用CMOS技术生产的全极霍尔集成电路要求较低的电源电压和较小的电源。它有两种封装类型:SOT-23-3L (M型)和TO-92UA (UA型)。每包无铅(Pb), 100%哑光镀锡引线框。


image.png

当磁体(S极或N极)靠近传感器(|B|≥|BOP|)时,传感器输出低电平;当磁铁远离传感器(|b |≤|BRP|)时,传感器输出高电平。Steady Hysteresis (BHX=|BOPX- BRPX|)保证其开关状态稳定。

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